摩尔定律猜测能够装入微芯片的晶体管数量将每两年翻一番，终究到达物理极限。除非找到新的办法，不然这些约束或许会使几十年的发展停顿下来。原子薄的纳米资料是硅基晶体管的一个有出路的替代品，现在研究人员正在寻觅将它们更有效地衔接到其他芯片元件的办法。

  现在麻省理工学院、加州大学伯克利分校、台积电和别的的当地的研究人员发现了一种制作这些电气衔接的新办法，这或许有助于开释二维资料的潜力并进一步完成元件的小型化，这或许足以延伸摩尔定律。

  这些发现在《天然》杂志进步行了描绘，论文作者是麻省理工学院最近的毕业生沈品淳博士（20岁）和苏聪博士（20岁）、博士后林宇轩博士（19岁）、麻省理工学院教授孔晶、Tomas Palacios和李菊，以及麻省理工学院、加州大学伯克利分校和其他组织的17人。

  研究人员表明，他们处理了半导体设备小型化的最严峻的问题之一，即金属电极和单层半导体资料之间的触摸电阻，该处理方案被证明分外的简略，即运用一种半金属，即铋元素，来替代一般金属与单层资料衔接。

  这种超薄单层资料，在这种情况下是二硫化钼，被认为是绕过硅基晶体管技能现在遇到的小型化约束的首要竞争者。金属与半导体资料（包含这些单层半导体）之间的界面产生了一种叫做金属诱导的空隙状况现象，这导致了肖特基屏障的构成，此现状按捺了电荷载体的活动。运用一种半金属，其电子特性介于金属与半导体之间，再加上两种资料之间恰当的能量摆放，结果是消除了这个问题。

  研究人员经过这项技能，展现了具有特殊功能的微型化晶体管，满意了未来晶体管和微芯片技能路线图的要求。