光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分,已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的中心在于成膜树脂,受限于研制难度大、专利壁垒高、财物金额的投入多、准入门槛高,现在国内企业尚难以打破KrF胶(248 nm)或ArF胶(193 nm),而EUV胶彻底不能自主供应。
本项技能采用了世界最前沿的纳米氧化物团簇资料的工艺道路nm小分子的光刻胶成膜树脂资料,霸占了资料组成和纳米资料提纯的难题,可满足现在半导体3nm制程节点的技能方面的要求,RLS分辨率、边际粗糙度、灵敏度三项要害性能指标优异,其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外,本项技能具有多种半导体光刻胶兼容性,能够出产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂,以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂,具有宽广的技能代替优势和商场使用远景。
本项技能效果触及10余项发明专利,其间3项已授权,7项请求中。此外,已请求PCT世界专利6项。
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