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  工程师们平时都见过芯片，也有很多工程师见过晶圆，但是你们知道晶圆的具体生产流程么？请跟随小编的脚步去细看吧。

  从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和芯片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属芯片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：

  晶棒成长 -- 晶棒裁切与检测--外径研磨--切片--圆边--表层研磨--蚀刻--去疵--抛光--清洗--检验--包装

  1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。

  2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。

  3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。

  4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。

  5）、尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。

  将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行仔细的检测，以决定下步加工的工艺参数。

  由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。

  由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。

  由于刚切下来的芯片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响芯片强度、破坏芯片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整芯片边缘形状和外径尺寸。

  研磨的目的是去掉切割时在芯片表面产生的锯痕和破损，使芯片表面达到所要求的光洁度。

  以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在芯片表面因加工应力而产生的一层损伤层。

  对芯片的边缘和表明上进行抛光处理，一来进一步去掉附着在芯片上的微粒，二来获得极佳的表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工。

  进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。

  将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往以下的芯片制造车间或出厂发往订货客户。

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  打电话给美信的高工，说是U口的气象站用不起来没有驱动，要购买一个DS9097U的串口才行。而且好想只能在电脑上用，弄到手持机上由于没详细的数据格式，只能靠自己破解了。。。。有没有哪位弄成功过的？拿到MAXIM的气象站，郁闷了～～～～哇楼主怎么得到的？嘿嘿好像之前也与MAXIM纠结了这个口的问题：谁送的问问他们能送个不？回复楼主youki12345的帖子去他的网站下

  regselect;select=!select;//语句1select=~select;//语句2语句1和语句2有啥不一样的区别，都有什么执行效果？verilog的简单问题？不要将逻辑运算符和位运算符相混淆，比如，！是逻辑非，而~是位操作的非，即按位取反，例如：对于前者！（5==6）结果是TRUE，后者对位做相关操作，~{1，0，1，1}=0100。建议：学好了再来提问，这里不是学堂。。。呵呵，挨批评了吧！...二楼的，初学者的问题也要善待呀晕！~

  跪求帮忙。。。。。我的一个tcp协议下的ECV数据传输程序，客户端接收东西的时候会出现连接断开（服务器端发送失败，提示错误10054错误）服务器端程序能与一个delphi程序通信正常。我的ECV程序怎么会随机出现这样的一个问题呢，有时候接收时间长有时候接收时间短。断开后就不能再连上了，整了好几天了都整不好，帮忙给点建议。。。谢先！TCP通信问题用的什么网络芯片呢？是不是驱动有问题？我以前遇到过类似的问题，当时用的是2410开发板、CS8900网络芯片。用WINCE的IE上一段时间网后网

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