科技日报讯 （记者郝晓明）记者从中国科学院金属研讨所得悉，沈阳资料科学国家研讨中心先进炭资料研讨部在新式二维资料方面获得新进展，制备出厘米级单层薄膜二维MoSi2N4资料。该研讨成果日前在《科学》杂志在线刊发。
现在广泛研讨的二维层状资料如石墨烯、氮化硼等，均存在已知的三维母体资料。探究不存在已知三维母体资料的新式二维层状资料，可极大拓宽二维资料的物性和使用，具有极端严重的科学含义和实用价值。
2015年，中科院金属所沈阳资料科学国家研讨中心任文才、成会明团队发明晰双金属基底化学气相堆积（CVD）办法，制备出多种不同结构的非层状二维过渡金属碳化物晶体，并发现了超薄Mo2C为二维超导体。但是受外表能束缚，富含外表悬键的非层状资料倾向于岛状成长，因而难以得到厚度均一的单层资料。
此次沈阳资料科学国家研讨中心先进炭资料研讨部的研讨团队发现，在CVD成长非层状二维氮化钼的过程中，引进硅元素能够钝化其外表悬键，制备出一种不存在已知母体资料的全新的二维范德华层状资料MoSi2N4，并获得了厘米级单层薄膜。单层MoSi2N4包括N-Si-N-Mo-N-Si-N共7个原子层，能够看成是由两个Si-N层夹持单层MoN构成。选用相似办法，研讨团队还制备出了单层WSi2N4。
在此基础上，该研讨团队与中科院金属所陈星秋研讨组和孙东明研讨组协作，发现了单层MoSi2N4具有半导体性质和优于MoS2的理论载流子迁移率，表现出优于MoS2等单层半导体资料的力学强度和安稳才能，并经过理论核算猜测出了10多种与单层MoSi2N4具有相同结构的二维层状资料，包括不同带隙的半导体、金属和磁性半金属等。
该研讨拓荒了全新的二维层状MoSi2N4资料宗族，拓宽了二维资料的物性和使用，也拓荒了制备全新二维层状资料的研讨方向。
